张鹏展, 刘鑫宇, 王丹蓓, 张玲, 吴孔平, 张冷
金陵科技学院学报.
2024, 40(4):
22.
使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备技术,通过精确控制硅烷氨气流量比R(SiH4/NH3),成功制备了可见光范围内发光高效可调制的非晶掺氧氮化硅(a-SiNxOy,a-SiNO)荧光薄膜。首先,采用积分球直接测量了不同R值情况下a-SiNO薄膜的光致发光量子产率(PLQY),在发光波长490 nm处获得了高达(10.08±0.75)%的PLQY值,并通过拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)以及X射线光电子能谱(XPS),证实了非晶态固体薄膜中存在N—Si—O键合组态及相关发光缺陷态;然后,通过精确测量a-SiNO薄膜的变温荧光光谱(TDPL)特性,详细研究并计算了变温条件下a-SiNO薄膜的PLQY值以及与之相对应的光致发光内量子效率(PLIQE);最后,讨论了a-SiNO薄膜在PLQY和PLIQE高值情况下的相关缺陷态发光机制。